CSD13381F4新到货100K.代理TI系列产品，长期供应，原装正品。欢迎来电咨询：深圳市和诺泰科技有限公司 销售热线：0755-83263770/82810280（22线，QQ在线报价1050372272/1481195084，Email:owen610106@163.com.
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PICOSTAR-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:12 V
Id-连续漏极电流:2.1 A
Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:650 mV
Qg-栅极电荷:1060 pC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Single
高度:0.35 mm
长度:1 mm
系列:CSD13381F4
晶体管类型:1 N-Channel FemtoFET MOSFET
宽度:0.64 mm
商标:Texas Instruments
下降时间:3.8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:1.5 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:11 ns
典型接通延迟时间:3.7 ns
单位重量:0.400 mg
本产品适用于所有类型的电子设备和装备，涉及领域有工业、计算机、汽车制造、消费类、电信、军事、航空航天、供电和医疗市场。
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