场效应管MOS管 STD3NK60ZT4原装进口大量现货
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 2.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 11.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
系列: STD3NK60ZT4
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 1.8 S
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 6.2 mm
单位重量: 330 mg
